基于薄膜铌酸锂调制器的微波光子链路特性研究

鹏飞 乔; 广龙 何; 韬 李; 鹏毅 杨; 桂周 余

doi:10.12345/dlynyqy.v4i6.40992

研究文章

基于薄膜铌酸锂调制器的微波光子链路特性研究

鹏飞乔, 广龙何, 韬李, 鹏毅杨, 桂周余

4 卷, 6 期 (2026) 页码 175-181 开放存取

摘要

薄膜铌酸锂（thin-film lithium niobate，TFLN）兼具高电光系数、低传输损耗和宽带调制能力，在高性能微波光子链路中具有重要应用潜力。本文针对基于全封装TFLN马赫-曾德尔强度调制器的微波光子链路，开展噪声系数（noise figure，NF）和无杂散动态范围（spurious-free dynamic range，SFDR）测试，并与传统块状铌酸锂强度调制器链路进行背靠背对比。结果表明：所用全封装TFLN的强度调制器具有40 GHz电光3 dB带宽，在2~18 GHz范围内，TFLN微波光子链路NF最小值为26.84 dB，最大值为31.02 dB，平均值为29.19 dB，较传统块状铌酸锂链路平均值33.32 dB降低4.13 dB。在2、8、12和18 GHz频点下，TFLN链路SFDR3分别为109，99.5，108.5和100 dB·Hz2/3，平均值为104.25 dB·Hz2/3，较传统块状铌酸锂链路平均值97.45 dB·Hz2/3提升约6.8 dB·Hz2/3。该研究结果表明，全封装TFLN强度调制器在宽带、低噪声和大动态范围微波光子链路中具有良好的应用前景。

关键词

薄膜铌酸锂；微波光子链路；噪声系数；无杂散动态范围

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