电子轰击 CMOS 芯片减薄工艺研究

龙华 王(长春理工大学物理学院，中国)
德 宋(长春理工大学物理学院，中国)

摘要

采用湿法刻蚀与干法刻蚀相结合的方法，对CMOS芯片进行刻蚀制备电子轰CMOS芯片。研究证明，湿法腐蚀可以很好的去除芯片的玻璃封装和表面微透镜层，干法刻蚀可以去除芯片的钝化层。并且都能通过完好性检测的验证，不损伤芯片成像功能。通过电子轰击实验，在电场电压为 1000V出现电子增益，电场电压2000V时收集效率达到33%，灰度值增益达到100，且收集效率和灰度值增益数据实验与模拟数据表现出一致，证明了电子收集效率模型合理性。本研究将为EBCMOS成像器件的设计提供支撑。

关键词

EBCMOS；湿法腐蚀；干法刻蚀；电子轰击；电荷收集效率

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DOI: http://dx.doi.org/10.12345/gcjsygl.v9i11.28783