半导体薄膜 CVD 设备腔体流场仿真与工艺均匀性优化研究

艳丽 戚(拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，中国)

摘要

本文围绕半导体薄膜化学气相沉积（CVD）设备腔体流场展开理论探索，系统分析了流场特性与工艺均匀性之间的内在关联。通过梳理计算流体力学在CVD腔体流场仿真中的理论应用框架，探讨了进气方式、气体参数及腔体结构等关键因素对流场分布的影响机制。从理论层面阐述了流场仿真模型的构建原理，剖析了不同条件下流场特性的变化规律，并基于理论分析提出了工艺均匀性优化的潜在路径。

关键词

半导体薄膜；CVD 设备；腔体流场；数值仿真；工艺优化

参考

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DOI: http://dx.doi.org/10.12345/hgyjxjz.v3i8.31129